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三星提升QLC闪存性能:直接进入176层的V6 QLC闪存时代
时间:2021-11-23 14:05:02

随着闪存的发展,如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了,这让消费者很不爽,因为QLC闪存不仅可靠性差,而且性能也慢很多,没有缓存加速的时候,性能甚至跑不过HDD机械硬盘。

QLC闪存性能差是先天性的,如果用光了缓存容量空间,现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s,三星的870 QVO硬盘之前有人实测过,拷贝文件的速度也就160MB/s,这个速度甚至还不如一些HDD机械盘快。

三星也注意到这个问题了,未来也会重点关注QLC闪存的性能,目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC,明年会跳过V6 QLC,直接进入176层的V6 QLC闪存时代。

根据三星所说,新一代QLC闪存性能好得多,写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍,不过这是针对V4 QLC闪存的,相比现在的V5 QLC大概能提升一倍,意味着写入性能可提升到320MB/s。

不考虑缓存加速,320MB/s的原始写入性能已经相当可观了,足以让SSD性能重新超过HDD硬盘,并且跟TLC闪存一较高下,相关产品预计在明年上市。

关键词: 三星 QLC 闪存性能 写入速度 闪存时代

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