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新一代高通骁龙8 Gen 1旗舰芯片或达成150W峰值充电功率
时间:2021-11-19 10:18:25

高通即将于 11 月 30 日带来新款期间芯片组,但有传闻称它将被更名为骁龙 8 Gen 1 。最新消息是,据 @数码闲聊站 在微博上透露 —— 部分搭载骁龙新款 SoC 的量产智能机,或达成惊人的 150W 峰值充电功率。虽然从实际体验上来说,如此高的峰值功率可能不会带来多大的体验提升。但至少在商业推广层面上,超百瓦的快充还是挺有噱头的。

作为参考, 小米 与联想都曾拿出过百瓦上下的快充方案。比如支持 120W 功率的小米 10 Ultra(2020 年 8 月发布),以及支持 90W 功率的拯救者(Legion)2 Pro 电竞手机。

两家制造商都计划在 2021 年底前发布新旗舰,但它们可能不会在这个时间窗口进一步拉升充电功率。

爆料人称,高通会在 2021 年底发货的第二批芯片中,提供对最高 150W 充电功率的支持。

所以按照终端产品的制造周期,我们最早也要等到 2022 年 1 季度,才会看到类似“10 分钟充满电”的机型。

总部位于圣迭戈的高通公司,当前提供的最新快充标准为 QC 5.0 。通过所谓的“双充”(Dual Charge)技术,其能够在 5 分钟内,将电量从 0% 充到 50% 。

此外 QC 5.0 包含了 12 项独立的电压、电流、温度保护,可兼顾性能与安全。预计在下一代骁龙 8 Gen 1 上,新标准会略有提升,以更好地支持所谓的 150W 快充。

关键词: 高通 骁龙 旗舰芯片 峰值充电功率

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