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十铨科普QLC闪存:每个存储单元可记录4个位
时间:2021-09-14 13:36:26

本周十铨在其官网播客发表文章,对目前的 NAND 闪存技术进行科普。官方表示,现有的已量产技术中,最高密度的是 QLC,即每个存储单元 (Cell) 可记录 4 个位 (bit)。由于每个单元有其标准尺寸,因此 QLC 需要记录更多组电压(16 个),同时写入机制会更复杂,在可靠度、寿命等方面天生就有其限制。

官方表示,首款使用 QLC NAND 的存储产品于 2018 年推出,但是现在的技术已经有了进步,采用了更新的制程、更强大的芯片堆栈架构,因此近期推出的 QLCSSD无论是在读写效能还是耐用度上其实已经非常接近 TLC SSD 的水平,过去曾引起讨论的耐用度问题也就不需要再特别担心。

十铨 QX SSD 读写速度分别为560MB/s、480MB/s,能够从容量上与主流机械硬盘抗衡。寿命方面,该产品可达 2560TBW 的写入寿命,可靠性高。这款产品同时还提供 8TB、4TB 规格可选,15.3TB 版本售价高达人民币 2.72 万元。

关键词: 十铨科普 耐用性 存储单元 TLC SSD

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